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《制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法》是中国科学院半导体研究所于2012年5月15日申请的发明专利，该专利申请号为201210150154X，公布号为CN102684070A，公布日为2012年9月19日，发明人是罗帅、季海铭、杨涛。 

一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。该发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米宽达400纳米的范围内可控调节。 

2021年6月24日，《制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法》获得第二十二届中国专利优秀奖。 

（概述图为《制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法》摘要附图 ）

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