信息互动

当前位置/ 首页/ 信息互动/ 正文

台积电基于GAA-FET的2nm芯片将于2023年投入量产

导读 在这个正是日新月异的时代,飞黄腾达的时代,人类的科技、生活已经在近几年快速的进入快车道,在这年头有台电脑、手机已不是稀奇的

在这个正是日新月异的时代,飞黄腾达的时代,人类的科技、生活已经在近几年快速的进入快车道,在这年头有台电脑、手机已不是稀奇的事,因为几乎每家每户都会有电脑,电脑仿佛将我们彼此链接在一起,下面分析一片关于电脑与手机各种新型科技产品的文章供大家阅读。

据报道,台积电(TSMC)正式启动其2nm工艺节点的研发工作仅一年多后,预计其新技术将在2023年投入量产。据台湾的一份报告称,该公司将放弃较老的Fin- FET工艺,并为其2nm节点使用GAA-FET。台积电尚未在这方面正式宣布。但是,这可能只是时间问题。

根据先前的报道,台积电将在该公司位于台湾新竹市南部科技园区的先进工厂大规模生产2nm芯片。但是,尽管较早的时间表表明生产可能在2024年开始,但最新的报告现在表明可能在2023年生产。

同时,据报道,台积电还完成了其3nm工艺(“ N3”)的设计工作。据预计进入试生产中的2021年上半年不同的是2nm的节点,该节点为3nm会使,因为它的成熟度,可靠性和成本效率的使用FinFET技术的。在性能和速度方面,TSMC声称在等功率情况下,N3的速度将比N5提供10-15%的速度提高,在等速度时的功率降低25-30%。

据报道,该公司还在研究一种称为“ N4”的新型4nm架构,该架构可能会在2023年投入生产。这将是对其“增强型” 5nm工艺节点N5P的改进。同时,该公司仍预计其7nm节点将贡献今年的大部分收入。那么您对台积电的新技术感到兴奋吗?您期望它改善新芯片的性能和电源效率吗?在下面的评论中让我们知道。